Ich habe das Datenblatt des IRLU024 von Vishay konsultiert.
OK, da steht 17A.
4,5A paßt zu 2,8V.
Bei den Schaltzeiten steht: 9 Ohm im Gate macht 110ns.
18nC in 60ns ist nochmal welcher Strom?
BC338/328 sind mit 1A spezifiziert. Die hfe-Kurve spricht allerdings eine unkaufmännische Sprache.
Falls der obere Transistor mit einer höheren Spannung versorgt werden kann, werden seine Daten etwas besser. Ein paar CMOS-Treiber davor können nicht schaden.
Die BC548/558-Familie ist bei dieser Betrachtungsweise völlig unbrauchbar.
Die AC-Gatter enthalten auch bloß einen Emitterfolger, der bei geringen Strömen schließlich mit einem kleinen FET gebrückt wird. Da ist der interessante Teil der Veranstaltung aber schon 'rum.
Schaltzeiten der Treibertransistoren sind uninteressant weil die nicht geschaltet werden und deutlich unter 10ns bleiben.
Optimale Treibertransistoren sind in der ZTX-Klasse (ex Ferranti) zu finden.
Beim Einschalten würde ich auf minimale Zeit optimieren, beim Ausschalten etwas langsamer vorgehen, damit die IMMER vorhandenen Streuinduktivitäten die hochfrequente Störspannung nicht so hoch treiben.
Die im MOSFET vorhandene, parasitäre Z-Diode ist übrigens recht stabil und ihre Durchbruchspannung steigt mit zunehmender Temperatur. Sie ist deshalb problemlos in der Lage, die angegebene Avalanche-Energie aufzunehmen. Ausgehend von dieser Betrachtung sollte die Abschaltung den kritischen Bereich des zweiten Durchbruchs (wenn der FET noch teilweise leitend ist) möglichst schnell durchschreiten.
Und nach dem Redeschwall noch eine Verständnisfrage:
Für einen Schaltregler benötige ich eine solche schaltung.
Soll der MOSFET einen ohmschen Widerstand (RL) schalten wie in der Zeichnung, oder vielleicht doch eine Induktivität, bei der der Strom zu Anfang deutlich geringer ist als beim Ausschalten?
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Habe ich auch schon oft benutzt, bei Schaltfrequenzen bis 50...70kHz und eher kleinen MOSFETs. Ist halt nicht schnell, weil der untere Transistor im Schaltbetrieb arbeitet.
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