Bastelfreak:
Vielleicht ist es ja Edelstahl.
Das die Büchse beim Bund nicht wegoxidiert^^
@E: Gerade nochmal am Zähler gemessen: 7805 + µC + LCD + HEF40106 = ~16mA
Die HV Versorgung braucht um die 76mA. oO
Hier mal der HV Teil:
76mA an 12V sind 0.9W Verluste
1.
- 820K an 400V sind 0.2W
d.h. mit einem deutlich hochohmigeren Spannungsteiler in der Rückführung kann schon ein Teil der Verluste eingespart werden.
2.
Den Gatewiderstand mit 68R halte ich für zu hochohmig, ich würde es mal mit 10R versuchen.
Das könnte die Schaltverluste reduzieren.
3.
Den Widerstand R3=180R verstehe ich nicht. An dieser Stelle habe ich gerne was im Bereich >10K sitzen,
damit der FET nicht einschaltet wenn der PWM-Chip nicht läuft.
Wenn der Gatewiderstand 68R ist, kommen am Gate nur noch 8V an --- ich würde dem FET mehr Gate-Spannung gönnen,
damit die Leitendverluste geringer werden.
d.h. R3 deutlich größer
4.
Als Hochsatzsteller mit 12V-->400V wird das Tastverhältnis knapp unter 1 liegen.
R3+R2 sind in Summe 248R, an 12V fließen hier ca. 48mA, das macht weitere 0.58W Verluste, die absolut unnötig sind.
d.h. R3 deutlich größer
5.
Die Versorgungsspannung ist mit einem 220uF gebuffert.
Da gehört noch ein paralleler Kerko mit >>100nF hin,
damit ein vernünftiger der Gatestromimpuls aufgebaut werden kann.
Dies kann ebenfalls die Schaltverluste reduzieren.
Wird die Drossel oder der FET spürbar warm? (Ausschalten, bevor man mit dem Finger prüft!!)
Das wäre schon mal ein guter Hinweis, wo das 1W Verlust bleibt.